Three Dimensional Memory Device Having Isolated Periphery Contacts Through an Active Layer Exhume Process

WO2017048367 Art A1 23. März 2017

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017048367
Aktenzeichen: EP16847005
Anmeldetag: 26. Juli 2016
Veröffentlichung: 23. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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