Method for producing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and apparatus for producing silicon carbide epitaxial substrate

WO2017051611 Art A1 30. März 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017051611
Aktenzeichen: EP16848399
Anmeldetag: 2. August 2016
Veröffentlichung: 30. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C23C16/452C23C16/455H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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