Flash anneal of a spin hall effect switched magnetic tunnel junction device to reduce resistivity of metal interconnects

WO2017052494 Art A1 30. März 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017052494
Aktenzeichen: EP15904843
Anmeldetag: 21. September 2015
Veröffentlichung: 30. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/04H01L43/06H01L43/02H01L43/10H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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