Long channel mos transistors for low leakage applications on a short channel cmos chip
WO2017052650
Art A1
30. März 2017
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017052650
- Aktenzeichen
- EP15904983
- Anmeldetag
- 25. September 2015
- Veröffentlichung
- 30. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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