Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning
WO2017053316
Art A1
30. März 2017
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017053316
- Aktenzeichen
- EP16849435
- Anmeldetag
- 20. September 2016
- Veröffentlichung
- 30. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/027G03F7/20G03F1/70
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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