Removal of basal plane dislocations from silicon carbide substrate surface by high temperature annealing and preserving surface morphology

WO2017053518 Art A1 30. März 2017

Anmelder: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017053518
Aktenzeichen: EP16849564
Anmeldetag: 22. September 2016
Veröffentlichung: 30. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/324H01L21/67H01L21/56H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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