Mos field effect transistor, semiconductor integrated circuit, solid-state imaging element, and electronic device

WO2017056740 Art A1 6. April 2017

Anmelder: Sony Semiconductor Solutions Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017056740
Aktenzeichen: EP16850917
Anmeldetag: 9. August 2016
Veröffentlichung: 6. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/146H01L21/336H01L29/78H04N5/374

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sony Semiconductor Solutions Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Semiconductor Solutions

Japanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Atsugi, eine Tochtergesellschaft der Sony Group. Das Unternehmen entwickelt Bildsensoren, CMOS-Sensoren und Halbleiterlösungen für Kameras, Smartphones, Automobile und industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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