P-type 4h-sic single crystal and method for producing p-type 4h-sic single crystal

WO2017057581 Art A1 6. April 2017

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, DENSO CORPORATION, Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017057581
Aktenzeichen
EP16851752
Anmeldetag
29. September 2016
Veröffentlichung
6. April 2017
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/36C30B23/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
DENSO CORPORATION
Showa Denko K.K.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

7.883 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

2.327 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen