Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor

WO2017058667 Art A1 6. April 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc., Chakraborty, Tapash, Saly, Mark, Howlader, Rana, Venkatasubramanian, Eswaranand, Goradia, Prerna Sonthalia, Visser, Robert Jan, Thompson, David 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017058667
Aktenzeichen: EP16852347
Anmeldetag: 23. September 2016
Veröffentlichung: 6. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Applied Materials, Inc.
Chakraborty, Tapash
Saly, Mark
Howlader, Rana
Venkatasubramanian, Eswaranand
Goradia, Prerna Sonthalia
Visser, Robert Jan
Thompson, David
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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