Silicon carbide expitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2017061154 Art A1 13. April 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017061154
Aktenzeichen: EP16853309
Anmeldetag: 4. Juli 2016
Veröffentlichung: 13. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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