Dual gate thin film transistor and manufacturing method therefor

WO2017061669 Art A1 13. April 2017

Anmelder: University - Industry Cooperation Group of Kyung Hee University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017061669
Aktenzeichen: EP16853785
Anmeldetag: 8. Januar 2016
Veröffentlichung: 13. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University - Industry Cooperation Group of Kyung Hee University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University

Die University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Kyung Hee University in Seoul. Das Portfolio verteilt sich auf Medizintechnik und Gesundheit, Nachrichtentechnik und Telekommunikation sowie Halbleitertechnik und Landwirtschaft. Anmeldungen laufen seit 2004 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von