Methods for depositing dielectric barrier layers and aluminum containing etch stop layers

WO2017062355 Art A2 13. April 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017062355
Aktenzeichen: EP16854167
Anmeldetag: 4. Oktober 2016
Veröffentlichung: 13. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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