Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2017064949 Art A1 20. April 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017064949
Aktenzeichen: EP16855203
Anmeldetag: 8. September 2016
Veröffentlichung: 20. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von