Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate

WO2017065692 Art A1 20. April 2017

Anmelder: Nanyang Technological University, Massachusetts Institute Of Technology 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017065692
Aktenzeichen: EP16855858
Anmeldetag: 11. Oktober 2016
Veröffentlichung: 20. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nanyang Technological University
Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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