Non-Volatile Memory Element

WO2017068859 Art A1 27. April 2017

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017068859
Aktenzeichen: EP16857177
Anmeldetag: 25. August 2016
Veröffentlichung: 27. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L21/336H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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