Tunnel field-effect transistor (tfet) based high-density and low-power sequential

WO2017069857 Art A1 27. April 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017069857
Aktenzeichen: EP16857948
Anmeldetag: 2. September 2016
Veröffentlichung: 27. April 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/356H03K19/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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