Method for forming cvd-sic layer and cvd-sic layer formed by the method
WO2017070877
Art A1
4. Mai 2017
Anmelder: Ibiden Co., Ltd., Wuhan University Of Technology, Goto, Takashi 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017070877
- Aktenzeichen
- EP15906943
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2015
- Veröffentlichung
- 4. Mai 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/32C23C16/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Ibiden Co., Ltd.
Wuhan University Of Technology
Goto, Takashi - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Ibiden
Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.
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