Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2017070995 Art A1 4. Mai 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017070995
Aktenzeichen: EP15907056
Anmeldetag: 23. November 2015
Veröffentlichung: 4. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L27/115H01L21/8239H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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