Semiconductor device with iii-nitride channel region and silicon carbide drift region

WO2017071635 Art A1 4. Mai 2017

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017071635
Aktenzeichen: EP16859070
Anmeldetag: 28. Oktober 2016
Veröffentlichung: 4. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/267H01L29/772H01L21/8232

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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