Method for manufacturing epitaxial wafer, epitaxial wafer, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2017073749 Art A1 4. Mai 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017073749
Aktenzeichen: EP16859977
Anmeldetag: 28. Oktober 2016
Veröffentlichung: 4. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42C30B25/16C30B25/20C30B29/36H01L21/329H01L29/06H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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