Low electron temperature etch chamber with independent control over plasma density, radical composition and ion energy for atomic precision etching

WO2017074514 Art A1 4. Mai 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017074514
Aktenzeichen: EP16860421
Anmeldetag: 1. Juni 2016
Veröffentlichung: 4. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/3213H01L21/67H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von