Epitaxial substrate for semiconductor elements, semiconductor element, and production method for epitaxial substrates for semiconductor elements
WO2017077988
Art A1
11. Mai 2017
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017077988
- Aktenzeichen
- EP16862048
- Anmeldetag
- 1. November 2016
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C23C16/34H01L21/338H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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