N-Doped Semiconducting Material Comprising Two Metal Dopants
WO2017081076
Art A1
18. Mai 2017
Anmelder: Novaled GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017081076
- Aktenzeichen
- EP16791635
- Anmeldetag
- 9. November 2016
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/54H01L51/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Novaled GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Novaled
Deutsches Unternehmen für OLED-Technologie mit Sitz in Dresden. Novaled entwickelt Materialien und Technologien zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden für Displays und Beleuchtung.
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