Method for producing silicon single crystal

WO2017082112 Art A1 18. Mai 2017

Anmelder: Sumco Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017082112
Aktenzeichen: EP16864075
Anmeldetag: 1. November 2016
Veröffentlichung: 18. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/14

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumco Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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