Euv source chamber and gas flow regime for lithographic apparatus, multi-layer mirror and lithographic apparatus

WO2017084872 Art A1 26. Mai 2017

Anmelder: ASML Netherlands B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017084872
Aktenzeichen: EP16790965
Anmeldetag: 1. November 2016
Veröffentlichung: 26. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ASML Netherlands B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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