Nonvolatile memory element, nonvolatile memory and method for controlling nonvolatile memory

WO2017086399 Art A1 26. Mai 2017

Anmelder: The University Of Tokyo, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Sophia School Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017086399
Aktenzeichen: EP16866400
Anmeldetag: 17. November 2016
Veröffentlichung: 26. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105G11C11/22H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The University Of Tokyo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Sophia School Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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