Heterojunction Tfets Employing an Oxide Semiconductor

WO2017086921 Art A1 26. Mai 2017

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017086921
Aktenzeichen: EP15908918
Anmeldetag: 16. November 2015
Veröffentlichung: 26. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von