Etching method for a structure pattern layer having a first material and second material

WO2017087410 Art A2 26. Mai 2017

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017087410
Aktenzeichen: EP16866963
Anmeldetag: 15. November 2016
Veröffentlichung: 26. Mai 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/3065H01L21/311G03F7/00G03F1/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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