Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

WO2017090285 Art A1 1. Juni 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017090285
Aktenzeichen: EP16868235
Anmeldetag: 23. August 2016
Veröffentlichung: 1. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/20H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/161H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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