Method for producing ge single crystal thin film and optical device

WO2017090703 Art A1 1. Juni 2017

Anmelder: The University Of Tokyo, National Institute of Information and Communications Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017090703
Aktenzeichen: EP16868646
Anmeldetag: 25. November 2016
Veröffentlichung: 1. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C23C16/04C30B25/04C30B29/08G02F1/015H01L21/205H01S5/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The University Of Tokyo
National Institute of Information and Communications Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 National Institute of Information and Communications Technology

Das National Institute of Information and Communications Technology ist eine staatliche japanische Forschungseinrichtung für Kommunikations- und Informationstechnologien. Der Patentbestand konzentriert sich auf Nachrichtentechnik sowie Optik-, Software- und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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