Tsv embedded thyristor for short discharge path and reduced loading in stacked dies

WO2017091155 Art A1 1. Juni 2017

Anmelder: Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017091155
Aktenzeichen: EP16868997
Anmeldetag: 25. November 2016
Veröffentlichung: 1. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/60H02H9/04H01L29/74H01L21/332

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

2.211 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von