Method for manufacturing polysilicon high resistance

WO2017092408 Art A1 8. Juni 2017

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017092408
Aktenzeichen
EP16869719
Anmeldetag
19. August 2016
Veröffentlichung
8. Juni 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/64H01L21/265
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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