Bauelement mit einer Silber Enthaltenden Quintären Verbindungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2017093142
Art A1
8. Juni 2017
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017093142
- Aktenzeichen
- EP16810269
- Anmeldetag
- 25. November 2016
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/58H01L21/60H01L33/48H01L33/62H05K3/34B23K20/02B23K35/02B23K35/26B23K35/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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