Nanowire semiconductor device provided with high quality epitaxial layer, and manufacturing method for nanowire semiconductor device

WO2017096781 Art A1 15. Juni 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017096781
Aktenzeichen: EP16871985
Anmeldetag: 27. Juni 2016
Veröffentlichung: 15. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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