Semiconductor device

WO2017099122 Art A1 15. Juni 2017

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017099122
Aktenzeichen: EP16873015
Anmeldetag: 7. Dezember 2016
Veröffentlichung: 15. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L21/52H01L27/04H01L29/06H01L29/12H01L29/417H01L29/47H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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