Thin film transistor, method for manufacturing same and semiconductor device comprising said thin film transistor

WO2017099129 Art A1 15. Juni 2017

Anmelder: National University Corporation Nara Institute of Science and Technology, Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017099129
Aktenzeichen: EP16873022
Anmeldetag: 7. Dezember 2016
Veröffentlichung: 15. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/318H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Nara Institute of Science and Technology
Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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