Co-planar p-channel and n-channel gallium nitride-based transistors on silicon and techniques for forming same

WO2017099797 Art A1 15. Juni 2017

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017099797
Aktenzeichen: EP15910412
Anmeldetag: 11. Dezember 2015
Veröffentlichung: 15. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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