Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology
WO2017100416
Art A1
15. Juni 2017
Anmelder: Skyworks Solutions, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017100416
- Aktenzeichen
- EP16873827
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/762G06F1/10G11C11/40G11C11/401G11C11/402G11C11/404
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Skyworks Solutions, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Skyworks Solutions, Inc.
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien, spezialisiert auf HF-Chips und Analog-Halbleiter für Mobilfunk- und Kommunikationstechnik. Zahlreiche Patente im Bereich Hochfrequenztechnik und drahtlose Kommunikation.
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