Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

WO2017100416 Art A1 15. Juni 2017

Anmelder: Skyworks Solutions, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017100416
Aktenzeichen
EP16873827
Anmeldetag
8. Dezember 2016
Veröffentlichung
15. Juni 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/762G06F1/10G11C11/40G11C11/401G11C11/402G11C11/404
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Skyworks Solutions, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Skyworks Solutions, Inc.

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien, spezialisiert auf HF-Chips und Analog-Halbleiter für Mobilfunk- und Kommunikationstechnik. Zahlreiche Patente im Bereich Hochfrequenztechnik und drahtlose Kommunikation.

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