Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

WO2017104751 Art A1 22. Juni 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017104751
Aktenzeichen: EP16875728
Anmeldetag: 15. Dezember 2016
Veröffentlichung: 22. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329C30B25/20C30B29/36H01L21/20H01L21/205H01L21/66H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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