Method for improving endurance of three-dimensional resistive random access memory

WO2017107505 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017107505
Aktenzeichen: EP16877317
Anmeldetag: 12. August 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G06F17/50H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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