Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten mittels eines Co-Diffusionsprozesses sowie mit Diesem Verfahren Hergestelltes Dotiertes Halbleitersubstrat

WO2017108592 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017108592
Aktenzeichen: EP16819509
Anmeldetag: 16. Dezember 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223H01L21/225H01L31/18

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Anmelder

Firma: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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