Metal oxide film and semiconductor device

WO2017109642 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017109642
Aktenzeichen: EP16877868
Anmeldetag: 14. Dezember 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/363H01L21/203H01L21/336H01L21/66H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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