Substrate treatment method

WO2017110335 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017110335
Aktenzeichen: EP16878230
Anmeldetag: 21. November 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/336H01L29/78H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von