Structure for improved shorting margin and time dependent dielectric breakdown in interconnect structures

WO2017111804 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017111804
Aktenzeichen: EP15911507
Anmeldetag: 24. Dezember 2015
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von