Dual threshold voltage (vt) channel devices and their methods of fabrication
WO2017111874
Art A1
29. Juni 2017
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017111874
- Aktenzeichen
- EP15911571
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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