Non-uniform gate oxide thickness for dram device

WO2017112276 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017112276
Aktenzeichen: EP16879761
Anmeldetag: 23. November 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/768H01L29/78H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

690 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von