Damage free enhancement of dopant diffusion into a substrate

WO2017112353 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017112353
Aktenzeichen: EP16879830
Anmeldetag: 28. November 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/3215H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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