Hydrothermally grown batio3, srtio3, and baxsr1-xtio3 on tio2 nanotube layers for ultra-high charge density capacitors

WO2017112742 Art A1 29. Juni 2017

Anmelder: University of Florida Research Foundation, Inc., Korea Electronics Technology Institute 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017112742
Aktenzeichen: EP16880009
Anmeldetag: 21. Dezember 2016
Veröffentlichung: 29. Juni 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C25D5/02A61L2/16B05D1/00B32B3/10H01G9/04H01G9/042H01G9/048

Offizieller Volltext

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Firmen: University of Florida Research Foundation, Inc.
Korea Electronics Technology Institute
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Florida Research Foundation

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🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Medizintechnik & Gesundheit Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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