Sic trench mosfet device for integrating schottky diode, and manufacturing method thereof

WO2017114113 Art A1 6. Juli 2017

Anmelder: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD., State Grid Corporation of China, State Grid Shanghai Municiple Electric Power Company 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017114113
Aktenzeichen: EP16880903
Anmeldetag: 7. Dezember 2016
Veröffentlichung: 6. Juli 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD.
State Grid Corporation of China
State Grid Shanghai Municiple Electric Power Company
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 State Grid Corporation of China

State Grid Corporation of China ist der chinesische staatliche Stromnetzbetreiber und einer der größten Energieversorger weltweit. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Elektrische Energietechnik sowie Software und Mess-/Prüftechnik, ergänzt durch Halbleitertechnik. Anmeldungen sind von 2009 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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