Ingot cutting method

WO2017119030 Art A1 13. Juli 2017

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017119030
Aktenzeichen: EP16883536
Anmeldetag: 13. Dezember 2016
Veröffentlichung: 13. Juli 2017
Rechtsraum: WO
IPC: B24B27/06B28D5/04H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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